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第831章 芯片进展3(1 / 2)

“第一,纳米片晶体管(gaafet)的刻蚀控制。

我们对纳米片叠层的精度、栅极环绕的控制,极其不稳定,这是良率波动的主要来源之一。”

“第二,高介电常数金属栅极(hkg)的堆叠精度和均匀性。

新材料的热预算和界面态极其敏感,均匀性偏差导致阈值电压(vt)漂移严重。”

“第三,也是最致命的,”他的语气几乎带着一丝绝望。

“极紫外(euv)光刻技术的应用调试。

euv光源的功率、稳定性,以及配套的光刻胶、掩膜版技术,全部受到最严格的限制,获取极其困难,调试进度几乎停滞。

没有稳定可靠的euv光刻,很多关键的精细结构无法实现,良率和性能都无从谈起。”

他指着图表上那个刺眼的数字:

“目前试产的综合良率仍然在25-30的区间剧烈波动,最低甚至探至18。

而且,波动没有收敛的趋势。

姚总,这个良率,对于单颗成本就高达数十美元的高端旗舰芯片来说,是商业上无法接受的。”

会议室的温度仿佛瞬间降到了冰点。

孟良凡的面色也无比凝重。

他双手交叉支在桌上,身体前倾,沉声道:

这堵墙,靠工艺团队硬撞,代价太大,进度也无法保证。”

他再次将目光投向陈默,这次带着更深的期待和恳求。

“陈总,我们恳请开辟第二战场。

设计端和工具链必须承担更多责任。

我们迫切需要工具链的再次革命。”

他语速加快,列举出痛点:

“我们需要能进行原子级器件建模的工具,能精确模拟掺杂原子分布对性能的影响;

我们需要多物理场仿真平台,能耦合计算热、电、应力之间的相互效应;

我们需要更强大的计算光刻(opc)软件,以补偿euv光刻带来的复杂光学邻近效应;

我们还需要基于大数据的良率预测与优化系统,能在设计阶段就预测出芯片的薄弱环节。

否则,我们设计出来的东西,就像是建立在流沙上的城堡,根本没法在现实的、不完美的工艺里被可靠地制造出来!”

这番尖锐而专业的需求,将所有压力和责任清晰地传递到了陈默和他的eda团队身上。

面对孟良凡几乎一波又一波的挑战和全场聚焦的压力,陈默没有表现出丝毫的慌乱或防御姿态。

他缓缓坐直身体,目光平静地迎向孟良凡,然后扫过全场,最后落在自己面前的电脑上。

“孟教授提出的问题,正是我们eda产品线过去一年,投入超过70研发资源全力攻坚的方向。

也是我们理解的,打破僵局的关键。”

陈默的声音沉稳有力,显得很自信。

“工具链的升级,对我们而言,不是锦上添花,而是从‘辅助’走向‘驱动’和‘赋能’的战略转变。

下面,我向各位详细同步一下我们的进展。”

他熟练地操控会议室的投影,瞬间切换到了eda产品线的详细技术架构界面。

复杂的软件模块图、算法逻辑图、性能对比柱状图层层展开,如同展开一幅精密的作战地图。

“首先,在数字设计与实现方面,”陈默放大了一个标注着“ai-drivendesign”的区域。。

其核心采用了深度强化学习算法,在布局布线(pce&route)阶段,能够实现功耗-性能-面积(ppa)的多目标自动联合优化。”

他调出一份详细的内部测试报告投影:

“根据在海思‘猎人’芯片和另一款网络处理器芯片上的全流程试点对比数据,在达成相同时序和功能目标的前提下,‘伏羲’系统可以将芯片面积额外优化5-8,动态功耗降低10-15,同时时钟树功耗优化达20。”

他特意看向姚尘风:

或者用同样的面积集成更多晶体管来提升性能;

更直接的是,功耗的降低直接转化为手机的续航提升。

这是最直接的商业价值。”

姚尘风身体前倾,仔细审视着投影上的对比数据,眼神越来越亮:

“实测数据?完全替换了传统工具流?

‘猎人’芯片能提前达标,有这个因素的贡献?”

“是的,姚总。”陈默肯定地回答,并切换幻灯片,展示了更详细的试点项目总结:

“这是两份独立的验证报告。

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